不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：143pF @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PG-SOT23-3
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.8nC @ 5V
安装风格：SMD/SMT
通道数量：1Channel
晶体管极性：N-Channel
Id-连续漏极电流：1.5A
Rds On-漏源导通电阻：106mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压：700mV
Vgs - 栅极-源极电压：12V
Qg-栅极电荷：800pC
最小工作温度：-55C
最大工作温度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：500mW(1/2W)
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
封装：CutTape
高度：1.1mm
长度：2.9mm
系列：BSS214
晶体管类型：1N-Channel
宽度：1.3mm
正向跨导 - 最小值：4S
下降时间：1.4ns
上升时间：7.8ns
典型关闭延迟时间：6.8ns
典型接通延迟时间：4.1ns
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs